跑步

DIC技术蓄势待发量产化仍需时间

2019-08-15 15:24:25来源:励志吧0次阅读

  IC/SoC业者与封测业者合作,从系统级封装(System In Package;SIP)迈向成熟阶段的2.5D IC过渡性技术,以及尚待克服量产技术门槛的 D IC立体叠合技术;藉矽穿孔(TSV)、中介板(Interposer)等关键技术/封装零组件的协助下,在有限面积内进行最大程度的晶片叠加与整合,进一步缩减SoC晶片面积/封装体积并提升晶片沟通效率...

  摩尔定律渐趋瓶颈 IC封装朝立体天际线发展

  过去40年来,摩尔定律(Moore s Law) 每18个月电晶体数量/效能增加一倍,同时成本维持不变 的准则,使半导体产业快速走向规模经济与蓬勃发展,创造出许多资通讯产品(PC/DT/NB/SmartPhone/Tablet),从外型、样貌到应用的改变。但除了借助能缩减线路宽度、间距但成本高昂的先进奈米制程技术之外,业者、晶圆厂与封装业者也积极开发各种封装技术,在不缩减线距的奈米制程技术之下,在有限面积内进行最大程度的晶片叠加与整合,同时缩减SoC晶片封装体积与线路传导长度,进而提升晶片传输效率。

  TSV矽穿孔技术打通 D矽晶堆叠天地线。

  TSV矽穿孔与Interposer中介板用于裸晶对裸晶、裸晶对中介板、中介板与PCB板的连接。

  从过去DIP、QFP、LCC、PGA、TSOP、WB BGA封装,2000年起从朝向原始晶片尺寸化的封装,如低价QFN、WL CSP(Wafer Level Chip Scale Package)、FC BGA/CSP、SIP,到2010年以后更进一步朝向模组密集化、裸晶密集化,甚至 D立体化堆叠的技术,如2.5D Interposer、 D WLP、PoP(Package on Package)/PiP(Package in Package)以及 D IC技术等。

  TSV矽穿孔技术

  TSV(Through Silicon Vias)矽穿孔技术是一种运用化学蚀刻或镭射光穿透矽晶片的互连技术,取代过去基板与裸晶的打金线结合(Wire Bonding)的方式,它也是目前2.5D IC与 D IC中穿针引线的关键技术。其制程可分为先钻孔(Via first)、结合Via-middle与后钻孔(Via last)三种方式,在矽晶圆钻出小洞后再以铜、多晶矽、钨等导电物质填满,达成矽晶对矽晶、矽晶对中介层(interposer)线路连接导通的功能,最后将矽晶圆薄化再加以堆叠。

  就目前发展蓝图,预估到2015年,全域WTW(Wafer to Wafer)、DTD(Die to Die)与DTD D推叠等TSV技术,可作到最小孔径2~4 m,穿凿层数2~4层,穿凿深度20~50 m;中阶层WTW/DTD/DTD D部份更可做到最小孔径0.8~1.5 m,穿凿层数8~16层(DRAM),穿凿深度6~10 m。

  到目前为止,运用到TSV矽穿孔技术的晶片/应用产品,有结合光学镜头与CMOS影像处理晶片的影像感测器(CMOS Image Sensor;CIS)、整合微机电技术(MEMS)的感测器晶片,以及前述NAND、DRAM等晶片产品。未来将进一步应用到功率放大器(PA)、异质性整合 D IC晶片(Heterogeneous D IC)、LED磊晶整合照明晶片,以及光电转换/收发晶片等应用。据Yole研究报告指出,使用TSV封装的 DIC晶片或 D-WLCSP元件平台,其产值将从2011年27亿美元快速成长到2017年的400亿美元。

2011年呼和浩特旅游种子轮企业
马上吃
企业政府事务服务平台
分享到: